第四百二十九章：预热（1 / 2）

没有管台下反应，这次来ISSCC大会，还在美国佬的地盘砸场子，直接摆明车马要怼美国半导体行业巨人英特尔公司，质疑人家行业顶级大佬所留下的金科玉律，而且还是经受住了时间考验的那种。

嗯.....

这美国人要是还能稳住，那绝对不可能，所以倪光南总工也早有准备，直接不理会其它，继续埋头演讲，不给其他人说话的机会，有啥事儿，你们都给我憋着。

要说这种情况吧，倒是跟几十年后大学老师在台上讲课，然后台下众多学生各种千奇百怪姿势很一样，但老师却内心毫无波动，甚至还能倒背圆周率，更兼计划回头应该给那些学生挂科。

继续不急不缓地演讲，整个过程给人感觉是情感上毫无波澜，绝对是那种没看过《演讲与口才》的业余讲师。

“当价格不变时，在单位面积的集成电路上可容纳元器件数目，每隔18-24个月便会增加一倍，这是英特尔公司的戈登摩尔博士所提出，并且根据前二十年的半导体集成电路行业发展情况看，似乎也完美印证此处，甚至我们再往后三十年，也同样还能继续维持下去。”

先来个小小地吹捧，类似欲扬先抑的反套路使用，不过这种效果却往往都能起到不错的作用，所以不该少的是一样都不能少。

“现在主流的半导体工艺已经过度到0.5微米，各大公司都在攻克0.35微米工艺技术。那我说一个问题，半导体工艺技术是否能够持续保证每两年更新换代一次，这个问题可能有人说可以随着时间的发展而解决，但在我看来，就目前传统光刻机技术路线而言，十年之内想要突破0.1微米是很困难。”

十年之内，也就是在2000年左右让光刻机突破0.1微米，以欧美这些科研人员来做，好像全都是走干式光刻机台路子，这难度还真不是一般的大。

真正让光刻机突破微米为单位的时代，实际还是位华裔人士：林本坚。

这位大佬在IBM工作的1970到1992年之间，那是带领团队先后完成1微米、0.75微米、 0.5微米光刻工艺发展攻关，每一步跃进在当时都是引领产业界最前沿，属于当时最顶级的工艺技术。

而产业界一直要使用好几十年的“深紫外线光源”技术，则是这位大佬在1975年所做出，在当时是光刻技术最短波长的光线。

能够带领IBM公司的光刻工艺制程团队攻坚的人物，全球范围之内，敢说专精于此项技术的绝不超过十人，林本坚则是在这排名当中很靠前的神级人物。

在上位面，也是在1992年，这位选择加入台积电，用他当时所掌握的世界最前沿工艺制程技术带着台电一路发展壮大，并依靠独门绝学“侵润式光刻技术”带领台电实现三级跳，在2000年之后，最终成为世界最顶级的半导体集成电路代工厂。

那么现在这位面就不一样了，诸如台电这种单位，它比起更加金光闪闪的开阳半导体来说，简直就是弱鸡好不好。

还更不用说IBM公司本就和开阳半导体算是一条战壕里面，关于开阳半导体公司的大致情况，林本坚所知还真不要太少，在听说开阳方面卡在了0.5微米工艺时候，便主动提出可以提供技术方面的咨询。

如此直白地表达，开阳那边要是还感觉不出来，虞有澄这CEO也差不多可以直接下课算了。